H5AN8G8NAFR-PBC vs K4A8G085WC-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G8NAFR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G8NAFR-PBC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | শেষবার কেনার সুযোগ |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| ইন্টারফেস | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | — |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| ডেটা রেট | — | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Synchronous, parallel |