H5AN8G8NAFR-PBC vs K4A8G085WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NAFR-PBC bằng SK hynix và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G8NAFR-PBC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Lần mua cuối |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Hộp | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Giao diện | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | — |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Tốc độ dữ liệu | — | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Loại giao diện | — | Synchronous, parallel |