IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUC100N08S5N043ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ30N10S5L240ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 24 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Q_g) typ | — | 14 nC at V_GS=10V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 832 pF at V_DS=50V |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 45.5 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |