IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N08S5N043ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ30N10S5L240ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 24 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Q_g) typ | — | 14 nC at V_GS=10V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 832 pF at V_DS=50V |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 45.5 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |