IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N08S5N043ATMA1 bằng Infineon và IAUZ30N10S5L240ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 8 | — |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 24 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Q_g) typ | — | 14 nC at V_GS=10V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 832 pF at V_DS=50V |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 45.5 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |