IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUC60N06S5L073ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7L006ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 60 A —
On-Resistance RDS(on) max 7.3 mΩ —
Total Gate Charge (QG) 17.4 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-43
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS-7 trench
পিনের সংখ্যা 8 —
Configuration Single N-Channel —
Qualification AEC-Q101 automotive grade —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
পিন সংখ্যা — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট