IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N06S5L073ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L006ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS-7 trench |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Packaging | — | Tape and Reel (ATMA1) |
| Polarity | — | Single N-Channel |