IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N06S5L073ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS-7 trench |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Packaging | — | Tape and Reel (ATMA1) |
| Polarity | — | Single N-Channel |