IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7L028ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7N015GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (Ptot) | 58 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |