IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUS260N10S5N019TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUS260N10S5N019TATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
প্যাকেজ PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 16 9
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 Power-Transistor
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট