IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUS260N10S5N019TATMA1 द्वारा Infineon और IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUS260N10S5N019TATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| पैकेज | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 16 | 9 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |