IPB025N10N3GATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB025N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB039N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB025N10N3GATMA1 | IPB039N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| প্যাকেজ | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 160 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 214 W |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 3.9 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd typ] |
| RoHS / Halogen-Free Status | — | RoHS compliant, halogen-free |
| Series / Family | — | OptiMOS 3 |