IPB025N10N3GATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB025N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB039N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB025N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1
RoHS Durumu Compliant —
Klorürsüz Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 160 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin