IPB60R190C6ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB60R190C6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD80R600P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB60R190C6ATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | 3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL লেভেল | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |