IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPC70N04S5L4R2ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPC100N04S51R7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | 100% tested |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Built-in Body Diode | — | Yes |