IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC70N04S5L4R2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S51R7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | 100% tested |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Built-in Body Diode | — | Yes |