IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC70N04S5L4R2ATMA1 bằng Infineon và IPC100N04S51R7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC70N04S5L4R2ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 70 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 50 W | — |
| R_DS(on) Max @ Vgs=10V | 4.2 mΩ (typ) | — |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5 V | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Operating Temperature (Tj) | -55°C to +175°C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% (60 A production test) | 100% tested |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Configuration | Single with Built-in Diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Built-in Body Diode | — | Yes |