IPD031N03LGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD031N03LGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0911NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD031N03LGATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD031N03LGATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C | 90 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 94 W (Tc) | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra low (per datasheet tagline) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Mounting Tab | Drain (electrically connected) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |