IPD031N03LGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD031N03LGATMA1 द्वारा Infineon और BSC0911NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD031N03LGATMA1 BSC0911NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
ऑपरेटिंग तापमान -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +150C (junction)
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

डेटाशीट और संसाधन

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