IPD031N03LGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N03LGATMA1 tarafından Infineon ve BSC0911NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD031N03LGATMA1 BSC0911NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin