IPD031N03LGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD031N03LGATMA1 bằng Infineon và BSC0911NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD031N03LGATMA1 BSC0911NDATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
Nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Hộp PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá