IPD068N10N3GATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD068N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSF134N10NJ3GXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD068N10N3GATMA1 | BSF134N10NJ3GXUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | Trench-gate OptiMOS planar |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | MG-WDSON-2 (CanPAK M) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | Single with built-in diode |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Series | — | OptiMOS 100 V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 9 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.2 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| Terminal Position | — | Bottom |
| Terminal Finish | — | Silver Nickel |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] |
| Body Diode Reverse Recovery | — | [DATA_NEEDED: trr value] |