IPD068N10N3GATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD068N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSF134N10NJ3GXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD068N10N3GATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) Trench-gate OptiMOS planar
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single Single with built-in diode
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں