IPD068N10N3GATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD068N10N3GATMA1 توسط Infineon و BSF134N10NJ3GXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD068N10N3GATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) Trench-gate OptiMOS planar
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single Single with built-in diode
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت