IPD068N10N3GATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD068N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD80R600P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD068N10N3GATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +150 C |
| Polarity | — | N-Channel |