IPD068N10N3GATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD068N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD068N10N3GATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| Polarity | — | N-Channel |