IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD90N06S407ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD30N06S2L13ATMA4 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD90N06S407ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD30N06S2L13ATMA4 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 136 W (Tc) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 Qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Package) | Yes (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100 % production-tested | — |
| Technology | Planar (OptiMOS) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] | — |
| Diode Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: trr typ] | — |
| পিন সংখ্যা | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (T&R per IEC 60286-3) | — |
| FET Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |