IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD30N10S3L34ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD70N10S312ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited floor life) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |