IPD60N10S412ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD60N10S412ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD60N10S412ATMA1 - 100V 60A N-Channel MOSFET | Infineon | Auto
IPD60N10S412ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD60N10S412ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (2 + Tab) | 3 (2 + Tab) |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |