IPD60N10S412ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60N10S412ATMA1 توسط Infineon و IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD60N10S412ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (2 + Tab) | 3 (2 + Tab) |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| بدون هالوژن | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |