IPD60R280P7SAUMA1 vs BSC016N06NSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD60R280P7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC016N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD60R280P7SAUMA1 BSC016N06NSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel OptiMOS™ 5
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 1 (unlimited)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C
Gate Drive (recommended) — 10 V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট