IPG20N04S4L08AATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N04S4L08AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7L042GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPG20N04S4L08AATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS-T2 (Logic Level) | Trench N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 20 A (per channel) | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ | 1.7 V | — |
| Gate Drive (Logic Level) | 4.5 V | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 54 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55°C to +175°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| RoHS / REACH | Compliant (Green Product) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C (Tj) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| MSL লেভেল | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |