IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N10S4L35ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPG20N04S408ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon
IPG20N04S408ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPG20N10S4L35ATMA1 | IPG20N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPG20N10S4L35ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | 20 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 43 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 175°C max junction | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260 degC peak reflow) |
| Series | OptiMOS™, Automotive | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | 100 percent tested |
| Technology | — | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | — | 20 A at 25 degC case |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 7.6 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | — | 65 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 degC to +175 degC |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Channel Count | — | 2 (independent) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode, Normal Level |