IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL60R060CFD7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPL65R070C7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPL60R060CFD7AUMA1 | IPL65R070C7AUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | CoolMOS C7 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 219 W | — |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | 60 mΩ | — |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | 48 mΩ | — |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | 79 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 3193 pF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 62 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 4.5 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40 °C to +150 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) | PG-VSON-4 (surface mount) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Technology | — | Superjunction N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 70 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 169 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 171 mJ |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55°C to +150°C |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |