IPP100N12S305AKSA2 vs BSC014NE2LSIATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP100N12S305AKSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014NE2LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA2 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPP100N12S305AKSA2 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (TJ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO220-3-1 (Through Hole) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | N/A (Through Hole) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |