IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPB021N10NM5LF2ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPT008N06NM5LFATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB021N10NM5LF2ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPT008N06NM5LFATMA1 | IPB021N10NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | OptiMOS 5 Linear FET 2 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | — |
| পালসড ড্রেইন কারেন্ট | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] |
| প্যাকেজ | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 176 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | — | 30 A |
| R_DS(on) Maximum | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | — | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 375 W |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | — | 3.8 W |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | — | 10 V, 15 V |