IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPB021N10NM5LF2ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPT008N06NM5LFATMA1 bằng Infineon và IPB021N10NM5LF2ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPT008N06NM5LFATMA1 | IPB021N10NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | OptiMOS 5 Linear FET 2 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | — |
| Điện áp rò rỉ xung | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] |
| Hộp | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 176 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | — | 30 A |
| R_DS(on) Maximum | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | — | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 375 W |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | — | 3.8 W |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | — | 10 V, 15 V |