IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE008N03LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE012N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 252 A (per channel, case-temperature limited) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 0.85 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
প্যাকেজ PG-WHTFN-9 (WHTFN) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (top + bottom cooling) Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Polarity N-Channel —
পিনের সংখ্যা 9 (WHTFN with exposed thermal pads) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 34 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 224 A
On-Resistance RDS(on), typ — 1.20 mOhm
Gate-Source Threshold VGS(th) — 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
Technology / Process — OptiMOS 5 trench
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 C to +150 C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট