IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE008N03LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE012N03LM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Paket | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| Montaj Türü | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |