IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 252 A (per channel, case-temperature limited) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 0.85 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
پیکیج PG-WHTFN-9 (WHTFN) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (top + bottom cooling) Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Polarity N-Channel —
پنز کی تعداد 9 (WHTFN with exposed thermal pads) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 34 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 224 A
On-Resistance RDS(on), typ — 1.20 mOhm
Gate-Source Threshold VGS(th) — 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
Technology / Process — OptiMOS 5 trench
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +150 C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں