IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE031N08LM6CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE031N08LM6CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 127 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] | — |
| Gate Drive Level | Logic-level | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) | PG-TTFN-9-3 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| Technology | — | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |