IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE031N08LM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ فعالInfineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE031N08LM6CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 127 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] | — |
| Gate Drive Level | Logic-level | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) | PG-TTFN-9-3 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| Technology | — | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |