IRF7815TRPBF vs IRFR3411TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7815TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3411TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7815TRPBF IRFR3411TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 43 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 25 nC —
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (Tj) -55 C to +175 C
প্যাকেজ SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
পিনের সংখ্যা — 3
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট