IRF7815TRPBF vs IRFR3411TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7815TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3411TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7815TRPBF IRFR3411TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 43 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 25 nC —
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) -55 C to +175 C
پیکیج SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
پنز کی تعداد — 3
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں