IRF7854TRPBF vs IRF7495TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7854TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7495TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF7854TRPBF | IRF7495TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| প্যাকেজ | SO-8 | 8-SOIC (SO-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | IR MOSFET (HEXFET) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | — | 7.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 34 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) Max | — | 1530 pF at 25 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | — | 2.5 W |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Estimated EOL Date | — | 2027 |
| ECCN | — | EAR99 |