IRF7854TRPBF vs IRF7495TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7495TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7854TRPBF IRF7495TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.48 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پیکیج SO-8 8-SOIC (SO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET (HEXFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C — 7.3 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 34 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) Max — 1530 pF at 25 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C — 2.5 W
MSL لیول — 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Estimated EOL Date — 2027
ECCN — EAR99

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں