IRFB4020PBF vs IRFP3710PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFB4020PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFP3710PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFB4020PBF IRFB4020PBF - 200V 18A N-Channel Digital Audio MOSFET | Infineon

IRFB4020PBF - 200V 18A N-Channel Digital Audio MOSFET | Infineon

IRFB4020PBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFP3710PBF IRFP3710PBF - 100V, 57A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP3710PBF - 100V, 57A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP3710PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFB4020PBF IRFP3710PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা 175 C (max) —
প্যাকেজ TO-220AB (through-hole) TO-247AC (3-pin + tab)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET, Fifth Generation
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 57 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 200 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) Max — 25 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) Typical — 66.7 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Rating — Fully Avalanche Rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt Rated
Lead-Free — Yes
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট