IRFR1205TRPBF vs IRFR220NTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR1205TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR220NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR1205TRPBF IRFR220NTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 15 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C -55°C to +150°C
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
MSL লেভেল — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট