IRFR1205TRPBF vs IRFR220NTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR220NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR1205TRPBF IRFR220NTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 15 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55°C to +150°C
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
MSL لیول — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں