IRFR1205TRPBF vs IRFR220NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon और IRFR220NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF - 200V 5A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR220NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR1205TRPBF IRFR220NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 15 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C -55°C to +150°C
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
MSL स्तर — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

डेटाशीट और संसाधन

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